研究员实现高性能稳定TFT晶体管,推动AR/VR显示技术等
中国电子科技大学和韩国浦项科技大学合作研发出一种碲硒复合氧化物半导体材料,并成功制造出高性能和高度稳定的p型薄膜晶体管(TFT)。这一技术对下一代显示技术如VR/AR,以及低功耗CMOS和DRAM存储器的发展具有重要意义。与晶体半导体相比,非晶半导体制造更简单且成本更低,但电气性能较差。而p型非晶半导体一直以来发展缓慢,而n型非晶氧化物半导体被广泛应用于OLED显示器和存储器件。研究小组发现在缺氧环境中,氧化碲的电荷会增加,从而实现了p型半导体功能。基于这一发现,他们成功设计出了高性能和稳定性的非晶p型氧化物TFT,该TFT表现出令人印象深刻的空穴迁移率和通/关电流比,几乎与传统n型氧化物半导体相匹配。此外,该TFT在不同外部条件下表现出卓越稳定性,并且在晶圆制造时显示了均匀性能,适用于工业环境中的可靠半导体器件。该研究对下一代显示技术和低功耗存储器的发展具有重要影响。