微软专利提出高效率、低串扰的半连续量子阱Micro LED阵列单元
随着Micro LED尺寸缩小至10微米以下,其电光转换效率降低,导致电能大部分转化为热能,影响显示设备(尤其是XR可穿戴设备)的电池寿命和散热性能。传统刻蚀工艺在多量子阱有源区引入表面缺陷,增加非辐射复合,现有技术难以兼顾效率和串扰控制。微软在一项专利中提出新的半连续量子阱Micro LED阵列单元,旨在解决这一挑战,提高电光转换效率并降低串扰。
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