微转印技术首次实现蓝光激光器与氮化硅光子芯片集成
研究团队首次利用微转印技术将蓝光InGaN激光器集成到氮化硅光子集成电路,实现了455纳米的脉冲激射,阈值电流为450毫安,片上峰值功率约1.8毫瓦。团队采用重锗掺杂的n型InGaN作为牺牲层,结合优化的电化学蚀刻,成功释放薄膜激光器并设计了多尖端叉形边缘耦合器,实现超85%的耦合效率。当前由于热管理的限制,尚未实现连续波操作。该技术为可见光集成光子学提供新路径,未来有望推动AR/VR应用的发展。
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