最新资讯1000万尼特单绿色Micro-LED,国内科研团队研究刊登Nature
湖南大学科研团队在硅衬底上成功生长出高均匀性的绿色GaN外延层,厚度适配4英寸和6英寸晶圆,位错密度低至5.25×108 cm−2,显著提升了微发光二极管(Micro-LED)的发光效率和亮度,达到超过107尼特。这一成果通过解决Micro-LED侧壁损伤问题,结合垂直非对准键合技术和纳米级表面织构,实现了1080×780分辨率的高清显示,为未来大尺寸高亮度Micro-LED显示屏的量产奠定了基础。研究论文已发表在《Nature》上。